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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA02EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA02EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：60A
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：4700pF@25V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJA02EP-T1_GE3
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功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
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输入电容：4700pF@25V
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功率：6.25W€104W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
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