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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€39W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4150pF@20V
连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7463ADP-T1-GE3
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功率：5W€39W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4150pF@20V
连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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功率：136W
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栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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功率：136W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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功率：136W
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输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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功率：136W
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输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SI7463ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€39W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4150pF@20V
连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
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输入电容：4150pF@20V
连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
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输入电容：4150pF@20V
连续漏极电流：46A
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连续漏极电流：46A
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功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：144nC@10V
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输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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类型：P沟道
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
输入电容：5540pF@15V
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类型：P沟道
连续漏极电流：38A
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漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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类型：P沟道
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SI7463ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€39W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
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连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€39W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4150pF@20V
连续漏极电流：46A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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功率：136W
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栅极电荷：144nC@10V
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输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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功率：136W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
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输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
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输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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功率：136W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
输入电容：5540pF@15V
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：144nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
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规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
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包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：144nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：38A
ECCN：EAR99
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