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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFPS37N50A-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.579nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP26N60LPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：470W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5020pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQP120N10-09_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8645pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP27N60KPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4660pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP26N60LPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：470W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5020pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQP120N10-09_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8645pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS415DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5460pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
功率：6.25W€104.1W
栅极电荷：180nC@10V
输入电容：8960pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR500DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8960pF@15V
连续漏极电流：85.9A€350.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.47mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
