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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 56nC@10V
    当前匹配商品:50+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:25.5A€92.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€48.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:14A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:25.5A€92.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€48.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

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    类型:N沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€48.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

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    输入电容:2540pF@30V

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    导通电阻:3.65mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:25.5A€92.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

    工作温度:-55℃~150℃

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

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    输入电容:2400pF@20V

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    类型:N沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

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    功率:3.1W€48.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

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    输入电容:2400pF@20V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€48.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

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    输入电容:2400pF@20V

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    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

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    功率:50W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

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    输入电容:2850pF@15V

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    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7423DN-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7423DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订2个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:25.5A€92.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC04DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.45mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50N04-8M8P-4GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€48.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@20V

    连续漏极电流:14A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订7500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订7500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:25.5A€92.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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