品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
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功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
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功率:3.7W€52W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
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功率:5W€62.5W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
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功率:5W€62.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
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规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
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功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
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连续漏极电流:17.4A€65.3A
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功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
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输入电容:1490pF@30V
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规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
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连续漏极电流:20.7A€73A
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连续漏极电流:20.7A€73A
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规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
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功率:3.7W€52W
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连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
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规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
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栅极电荷:32nC@10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:3.7W€52W
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
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栅极电荷:32nC@10V
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类型:N沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.7A€73A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
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功率:5W€62.5W
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阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
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功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
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分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
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阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
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功率:3.7W€52W
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:20.7A€73A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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