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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISHA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：19.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISHA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：19.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：19.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA14DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€31.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：19.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：19.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.57W€26.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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