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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA436DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1508pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@15.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-BE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
输入电容：1110pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.15A
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：730mW
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：64nC@10V
类型：N-Channel
导通电阻：18mΩ
漏源电压：150V
阈值电压：3.5V@250µA
功率：6.25W€104W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：53.7A
输入电容：2130pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4134DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：846pF@15V
功率：2.5W€5W
连续漏极电流：14A
导通电阻：14mΩ
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流：4.5A€5.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：735pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
漏源电压：20V
功率：960mW€1.7W
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DDP-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
输入电容：900pF@50V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：23mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：27.8A
类型：N沟道
栅极电荷：29.5nC@10V
功率：5W€35.7W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA94EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：13.5mΩ@10A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：46A
功率：55W
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1308EDL-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
类型：N沟道
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：105pF@15V
导通电阻：132mΩ@1.4A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：1.5A€1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA50DP-T1-RE3
功率：6.25W€100W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：62.5A€100A
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：8445pF@20V
栅极电荷：194nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：1mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：56.8W
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
连续漏极电流：60A
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
输入电容：3240pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：125V
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
输入电容：1410pF@75V
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-BE3
输入电容：235pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3.3A€3.6A
功率：1.1W€1.7W
栅极电荷：6.7nC@10V
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
输入电容：180pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
连续漏极电流：1.5A
阈值电压：4V@250µA
功率：2W€3.1W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6mΩ@19A，10V
功率：3.8W€52W
类型：N沟道
栅极电荷：42nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：35A
输入电容：1700pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA20EP-T1_GE3
导通电阻：50mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：22.5A
ECCN：EAR99
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
阈值电压：1.4V@250µA
功率：1.56W€2.8W
连续漏极电流：3.9A€3.9A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
导通电阻：52mΩ
ECCN：EAR99
连续漏极电流：24.2A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：62W
漏源电压：40V
输入电容：1855pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：9mΩ@16.4A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：16A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：1450pF@15V
功率：3.57W€26.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
连续漏极电流：25A
输入电容：2815pF@100V
阈值电压：4V@250µA
功率：202W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：1450pF@15V
功率：3.57W€26.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：26nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：25V
输入电容：2650pF@10V
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：60A
功率：52W
ECCN：EAR99
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS32DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@40V
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：755pF@25V
功率：39W
连续漏极电流：8A
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA58ADP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：61nC@10V
功率：5W€56.8W
输入电容：3030pF@20V
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
连续漏极电流：32.3A€109A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA40DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：53nC@10V
类型：N沟道
输入电容：3415pF@10V
连续漏极电流：43.7A€162A
功率：3.7W€52W
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：1.1mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
