采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SQM40031EL_GE3
栅极电荷：800nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
功率：375W
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
输入电容：39000pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-BE3
功率：2W€3.3W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
连续漏极电流：2.2A€2.9A
输入电容：350pF@30V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：53mΩ@4A，10V
栅极电荷：21nC@10V
类型：P沟道
输入电容：540pF@15V
功率：750mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
漏源电压：60V
类型：P沟道
连续漏极电流：4.7A
输入电容：600pF@30V
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.8A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@4.5V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：11mΩ@13.7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120TRLPBF-BE3
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：390pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
功率：2.5W€42W
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：5.6A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS447DN-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
输入电容：5590pF@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
栅极电荷：181nC@10V
类型：P沟道
功率：52W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
功率：2W€3.3W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：3V
导通电阻：216mΩ
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：350pF@30V
类型：P-Channel
连续漏极电流：2.2A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA471DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：27.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
功率：3.5W€19.2W
连续漏极电流：12.9A€30.3A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：1170pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7115DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-50℃~150℃
漏源电压：150V
栅极电荷：42nC@10V
连续漏极电流：8.9A
导通电阻：295mΩ@4A，10V
输入电容：1190pF@50V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
功率：3.7W€52W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3
输入电容：2970pF@6V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：87nC@8V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7613DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52.1W
栅极电荷：87nC@10V
导通电阻：8.7mΩ@17A，10V
输入电容：2620pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：35A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
导通电阻：190mΩ
功率：1W€2.3W
类型：P-Channel
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA437DJ-T1-GE3
输入电容：2340pF@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14.5mΩ@8A，4.5V
阈值电压：900mV@250µA
工作温度：-50℃~150℃
栅极电荷：90nC@8V
类型：P沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：29.7A
功率：3.5W€19W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：5W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
输入电容：2000pF@6V
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-BE3
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：5A€6A
类型：P沟道
漏源电压：12V
栅极电荷：35nC@8V
阈值电压：1V@250µA
功率：1.2W€1.7W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1350pF@15V
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：11.4A
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
类型：P沟道
功率：2.5W€5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3407DV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
功率：4.2W
栅极电荷：63nC@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：25mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
功率：68W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
输入电容：3400pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301CDS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：112mΩ@2.8A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：860mW€1.6W
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3443CDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：12.4nC@5V
导通电阻：60mΩ@4.7A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：5.97A
功率：2W€3.2W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4101DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
功率：6W
输入电容：8190pF@15V
连续漏极电流：25.7A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
栅极电荷：203nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
功率：2W€4.2W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：25mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
功率：68W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
输入电容：3400pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361ES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：177mΩ@2.4A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
输入电容：550pF@30V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
输入电容：375pF@6V
类型：P沟道
连续漏极电流：2.2A
漏源电压：20V
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：950mV@250µA
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
输入电容：220pF@25V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：14nC@10V
功率：50W
漏源电压：250V
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
功率：4.8W€57W
工作温度：-50℃~150℃
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：5250pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ423EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：130nC@10V
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：55A
功率：68W
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
输入电容：4500pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
