品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:25A
输入电容:1100pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
功率:22W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:27W
导通电阻:92mΩ
连续漏极电流:11A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3
导通电阻:11mΩ@9A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:1.8A
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@10A,10V
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:305mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340ADT-T1-GE3
功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V€1290pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15.7A€33.4A€25.4A€69.7A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35.5mΩ@2A,10V,15.5mΩ@5A,10V
连续漏极电流:15A€40A
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
功率:27W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3
导通电阻:11mΩ@9A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:48W
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3
功率:250mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:485mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€40A
输入电容:550pF@25V€1260pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
功率:27W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:62pF@10V
功率:300mW€420mW
连续漏极电流:1A€1.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.6V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.9A
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRB40DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:4290pF@20V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
功率:46.2W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A€32.5A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:795pF@35V€765pF@35V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.1mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
功率:4.3W€33W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4204DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2110pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
功率:3.25W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:20V
连续漏极电流:19.8A
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8mΩ@8A,10V
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:3.9W
漏源电压:40V
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:25A€30A
输入电容:1100pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB90EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:80V
阈值电压:3.5V@250µA
导通电阻:21.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.6mΩ@10A,10V
功率:187W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:2832pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:62pF@10V
功率:300mW€420mW
连续漏极电流:1A€1.1A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: