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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:25A

    输入电容:1100pF@15V

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    功率:22W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    功率:27W

    导通电阻:92mΩ

    连续漏极电流:11A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7922DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7922DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7922DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:195mΩ@2.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:1.8A

    功率:1.3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ960EL-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ960EL-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:71W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@10A,10V

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:63A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1026X-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1026X-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:305mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:2A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340ADT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340ADT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340ADT-T1-GE3

    功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V€1290pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:15.7A€33.4A€25.4A€69.7A

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ262EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ262EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:35.5mΩ@2A,10V,15.5mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:15A€40A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    功率:27W€48W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1024X-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3

    功率:250mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:485mA

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ262EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ262EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A€40A

    输入电容:550pF@25V€1260pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    功率:27W€48W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1110pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:62pF@10V

    功率:300mW€420mW

    连续漏极电流:1A€1.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.6V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:4.9A

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRB40DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRB40DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRB40DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    输入电容:4290pF@20V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.25mΩ@10A,10V

    功率:46.2W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ254DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ254DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11.7A€32.5A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    输入电容:795pF@35V€765pF@35V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:70V

    功率:4.3W€33W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4204DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4204DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4204DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    功率:3.25W

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:19.8A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.6mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.9W

    漏源电压:40V

    输入电容:2200pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:25A€30A

    输入电容:1100pF@15V

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB90EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB90EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB90EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:80V

    阈值电压:3.5V@250µA

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ910EL-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ910EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    功率:187W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:2832pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:62pF@10V

    功率:300mW€420mW

    连续漏极电流:1A€1.1A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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