品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:550pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.8A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:620pF@30V
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2310ES-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
输入电容:485pF@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
输入电容:870pF@6V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
输入电容:870pF@6V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.8A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:620pF@30V
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
输入电容:870pF@4V
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
输入电容:870pF@6V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:2W
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.8A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:620pF@30V
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
ECCN:EAR99
功率:2W
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
输入电容:330pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.2A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P-Channel
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2310ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2351ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: