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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 960mW€1.7W
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:735pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:56mΩ

    类型:N-Channel

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:1.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:735pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    功率:96mW€80mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    漏源电压:20V

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    ECCN:EAR99

    输入电容:735pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:35mΩ@4.4A,4.5V

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:4.4A€5.8A

    栅极电荷:30nC@8V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:36nC@8V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    输入电容:1160pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:36nC@8V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    输入电容:1160pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:35mΩ@4.4A,4.5V

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:4.4A€5.8A

    栅极电荷:30nC@8V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-GE3

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:36nC@8V

    漏源电压:-20V

    类型:P-Channel

    阈值电压:1V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    连续漏极电流:-5.3A

    输入电容:1160pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.2A€4.3A

    导通电阻:51mΩ@3.2A,10V

    输入电容:370pF@20V

    阈值电压:1.5V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:36nC@8V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:960mW€1.7W

    输入电容:1160pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:35mΩ@4.4A,4.5V

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:4.4A€5.8A

    栅极电荷:30nC@8V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:960mW€1.7W

    漏源电压:8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:3.2A€4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:3.2A€4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:4.4A€5.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96mW€80mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:3.2A€4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:3.2A€4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:-5.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:-5.3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:-20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2367DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2367DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:561pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:66mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:3.2A€4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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