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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:64nC@10V

    类型:N-Channel

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:150V

    阈值电压:3.5V@250µA

    功率:6.25W€104W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:53.7A

    输入电容:2130pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:14300pF@10V

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    漏源电压:20V

    栅极电荷:400nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    连续漏极电流:35.8A€146A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€104W

    输入电容:4100pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:80nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    输入电容:2866pF@50V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.25mΩ

    阈值电压:1.4V@250µA

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:625nC@10V

    类型:P-Channel

    ECCN:EAR99

    输入电容:22000pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    功率:6.25W€104W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    输入电容:8650pF@15V

    栅极电荷:250nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826ADP-T1-GE3

    栅极电荷:86nC@10V

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    输入电容:2800pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:8130pF@10V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.6mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:97nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    导通电阻:18mΩ

    漏源电压:150V

    栅极电荷:47nC@10V

    输入电容:1286pF@75V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:53.7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    功率:6.25W€104W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7192DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7192DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7192DP-T1-GE3

    输入电容:5800pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:74nC@10V

    输入电容:2440pF@40V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:5.9mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    连续漏极电流:35.8A€146A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€104W

    输入电容:4100pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7174DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7174DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:75V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:72nC@10V

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    输入电容:2770pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:31A€100A

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    输入电容:12900pF@20V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.25mΩ

    阈值电压:1.4V@250µA

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:625nC@10V

    类型:P-Channel

    ECCN:EAR99

    输入电容:22000pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:140nC@10V

    输入电容:6195pF@50V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:23.2A€95A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.88mΩ@20A,10V

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:83nC@10V

    功率:6.25W€104W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4415pF@40V

    连续漏极电流:30.7A€125A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10850pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:25V

    栅极电荷:200nC@10V

    阈值电压:2.1V@250µA

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:81.7A€100A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR440DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR440DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.55mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:6000pF@10V

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR510DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR510DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR510DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:81nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:4980pF@50V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:31A€126A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR804DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR804DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR804DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2450pF@50V

    栅极电荷:76nC@10V

    导通电阻:7.2mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:140nC@10V

    输入电容:6195pF@50V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:23.2A€95A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA00DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3

    输入电容:11700pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.2V@250µA

    连续漏极电流:100A

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    连续漏极电流:31A€100A

    功率:6.25W€104W

    类型:P沟道

    输入电容:12900pF@20V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.3V@250µA

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3

    阈值电压:2.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:74nC@10V

    输入电容:2440pF@40V

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:5.9mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:83nC@10V

    功率:6.25W€104W

    输入电容:3.77nF@30V

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:40.4A€165A

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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