品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:64nC@10V
类型:N-Channel
导通电阻:18mΩ
漏源电压:150V
阈值电压:3.5V@250µA
功率:6.25W€104W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:53.7A
输入电容:2130pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:14300pF@10V
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
漏源电压:20V
栅极电荷:400nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
输入电容:4100pF@40V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
输入电容:2866pF@50V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.25mΩ
阈值电压:1.4V@250µA
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
栅极电荷:625nC@10V
类型:P-Channel
ECCN:EAR99
输入电容:22000pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
功率:6.25W€104W
ECCN:EAR99
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
输入电容:8650pF@15V
栅极电荷:250nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR826ADP-T1-GE3
栅极电荷:86nC@10V
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:2800pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
输入电容:11700pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:8130pF@10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.6mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:97nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
导通电阻:18mΩ
漏源电压:150V
栅极电荷:47nC@10V
输入电容:1286pF@75V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:53.7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
功率:6.25W€104W
ECCN:EAR99
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7192DP-T1-GE3
输入电容:5800pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:74nC@10V
输入电容:2440pF@40V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
导通电阻:5.9mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:76nC@10V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
功率:6.25W€104W
输入电容:4100pF@40V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:72nC@10V
导通电阻:7mΩ@10A,10V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:2770pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:31A€100A
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
输入电容:12900pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
输入电容:11700pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.25mΩ
阈值电压:1.4V@250µA
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
栅极电荷:625nC@10V
类型:P-Channel
ECCN:EAR99
输入电容:22000pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:6195pF@50V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:23.2A€95A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
功率:6.25W€104W
ECCN:EAR99
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
栅极电荷:200nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:81.7A€100A
ECCN:EAR99
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
漏源电压:20V
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:6000pF@10V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR510DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
类型:N沟道
输入电容:4980pF@50V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:31A€126A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR804DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2450pF@50V
栅极电荷:76nC@10V
导通电阻:7.2mΩ@20A,10V
类型:N沟道
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:6195pF@50V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:23.2A€95A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA00DP-T1-GE3
输入电容:11700pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
导通电阻:1mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:31A€100A
功率:6.25W€104W
类型:P沟道
输入电容:12900pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR880DP-T1-GE3
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:74nC@10V
输入电容:2440pF@40V
功率:6.25W€104W
连续漏极电流:60A
导通电阻:5.9mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:83nC@10V
功率:6.25W€104W
输入电容:3.77nF@30V
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:40.4A€165A
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: