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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 200V
    当前匹配商品:700+
    商品信息
    参数
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    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ454EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7172ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7172ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~125℃

    阈值电压:3.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@100V

    连续漏极电流:5.3A€17.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:960mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@580mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI630GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLI630GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@3.7A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90330E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90330E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90330E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431AEP-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:305mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA20EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA20EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM65N20-30-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM65N20-30-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF610PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF610PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF610PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF620STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF620STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR610DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR610DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@100V

    连续漏极电流:35.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD90330E-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD90330E-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL210TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL210TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:960mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@580mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR616DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR616DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR616DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@100V

    连续漏极电流:20.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:50.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7820DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7820DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL630PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRL630PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9640PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR610DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR610DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR610DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@100V

    连续漏极电流:35.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:31.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI640GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLI640GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLI640GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP240PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP240PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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