首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 40V
    阈值电压: 2.2V@250µA
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:194nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8445pF@20V

    连续漏极电流:62.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB02ELP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB02ELP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB02ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB02ELP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB02ELP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB02ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:194nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8445pF@20V

    连续漏极电流:62.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:194nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8445pF@20V

    连续漏极电流:62.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISB46DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISB46DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@20V

    连续漏极电流:34A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.71mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ142ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3015pF@25V

    连续漏极电流:175A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€3.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS434DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@16.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:194nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8445pF@20V

    连续漏极电流:62.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA50ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA50ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€100W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@20V

    连续漏极电流:54.8A€219A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.04mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISB46DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISB46DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@20V

    连续漏极电流:34A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.71mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€3.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISB46DN-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISB46DN-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@20V

    连续漏极电流:34A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.71mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€3.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB02ELP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB02ELP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB02ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS434DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS434DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1530pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@16.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4554DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4554DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€3.2W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:24mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧