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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

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规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

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功率：34W

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栅极电荷：21nC

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连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3

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包装方式：Reel

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类型：MOSFET

导通电阻：20mΩ€20mΩ

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销售单位：个

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功率：52W

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栅极电荷：21nC

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阈值电压：3.3V

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

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销售单位：个

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类型：MOSFET

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功率：34W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

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功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：52W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：40nC

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连续漏极电流：35A

类型：MOSFET

导通电阻：7.6mΩ

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包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3

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功率：4W

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栅极电荷：43nC

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连续漏极电流：8A

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包装规格(MPQ)：3000psc

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功率：52W

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栅极电荷：40nC

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连续漏极电流：35A

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包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3

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功率：4W

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栅极电荷：43nC

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连续漏极电流：8A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

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功率：48W

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栅极电荷：100nC

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连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

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栅极电荷：21nC

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连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

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漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1