品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
包装方式:Reel
漏源电压:40V
阈值电压:1.1V
功率:48W
栅极电荷:100nC
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.63mΩ
连续漏极电流:131A
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:131A
类型:MOSFET
导通电阻:1.63mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2332
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@20V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@10V,4.3A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4.37nF@20V
导通电阻:11.7mΩ@10V,15A
阈值电压:2.3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2332
规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
导通电阻:42mΩ@10V,4.3A
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.6A
输入电容:340pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SIJA52ADP-T1-GE3
包装方式:Reel
漏源电压:40V
阈值电压:1.1V
功率:48W
栅极电荷:100nC
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.63mΩ
连续漏极电流:131A
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: