首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    ECCN
    漏源电压
    行业应用
    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:1900+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456CDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456CDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@50V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€600pF@25V

    连续漏极电流:15A€9.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR110TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR110TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@2.6A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€8.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@50V

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS990DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS990DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR870ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR870ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:21.8A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2328DS-T1-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2328DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS5108DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS5108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:15.4A€55.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFL9110TR-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@660mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2392ADS-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2392ADS-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2392ADS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:2.2A€3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3474DV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3474DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:126mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF530STRL-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF530STRL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧