采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30LPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1836pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE40PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD4N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：622pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.27Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE20PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE30GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPE40PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30LPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：散装
输入电容：827pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：422pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30LPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBE30STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
