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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:1800+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    连续漏极电流:2.2A€2.9A

    输入电容:350pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:600pF@30V

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:3V

    导通电阻:216mΩ

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:350pF@30V

    类型:P-Channel

    连续漏极电流:2.2A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.5V@250μA

    输入电容:4.586nF@30V

    栅极电荷:108nC@10V

    工作温度:-55℃~+175℃

    连续漏极电流:52A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    输入电容:3400pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:40nC@10V

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    输入电容:3400pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:2.8A

    导通电阻:177mΩ@2.4A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:550pF@30V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:755pF@25V

    功率:39W

    连续漏极电流:8A

    栅极电荷:20nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4948BEY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4948BEY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:120mΩ@3.1A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS414CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS414CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):3000psc

    规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3

    阈值电压:2.5V

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:18A

    导通电阻:23mΩ

    栅极电荷:8.9nC

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:33W

    ECCN:EAR99

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    功率:350mW

    连续漏极电流:300mA

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    输入电容:1750pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    连续漏极电流:2.2A€2.9A

    输入电容:350pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:600pF@30V

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:5.3A

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:600pF@30V

    功率:3.2W€19.8W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ960EL-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ960EL-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    功率:71W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@10A,10V

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:63A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    输入电容:1750pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    类型:N沟道

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:600pF@30V

    功率:3.2W€19.8W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460CENW-T1_GE3

    导通电阻:30mΩ@5.3A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    功率:27W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1026X-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1026X-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:305mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP0610K-T1-E3

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.7nC@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2308CES-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3

    栅极电荷:5.3nC@10V

    导通电阻:150mΩ@2.3A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:2.3A

    输入电容:205pF@30V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ262EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ262EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:35.5mΩ@2A,10V,15.5mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:15A€40A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    功率:27W€48W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    栅极电荷:8.4nC@5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:200mΩ@1.6A,5V

    输入电容:400pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2W€3.1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:48W

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ262EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ262EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A€40A

    输入电容:550pF@25V€1260pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    功率:27W€48W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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