品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:2.2A€2.9A
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
漏源电压:60V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.7A
输入电容:600pF@30V
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:3V
导通电阻:216mΩ
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:350pF@30V
类型:P-Channel
连续漏极电流:2.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:60V
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:4.586nF@30V
栅极电荷:108nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:52A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
连续漏极电流:3.2A
栅极电荷:40nC@10V
漏源电压:60V
类型:P沟道
导通电阻:64mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_GE3
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:25mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3400pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:550pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:755pF@25V
功率:39W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4948BEY-T1-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:120mΩ@3.1A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3
阈值电压:2.5V
包装方式:Reel
连续漏极电流:18A
导通电阻:23mΩ
栅极电荷:8.9nC
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
导通电阻:2Ω@500mA,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:0.6nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3
输入电容:1750pF@30V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6mΩ@20A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:2.2A€2.9A
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
漏源电压:60V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.7A
输入电容:600pF@30V
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.3A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:600pF@30V
功率:3.2W€19.8W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ960EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@10A,10V
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:63A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3
输入电容:1750pF@30V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6mΩ@20A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
输入电容:600pF@30V
功率:3.2W€19.8W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460CENW-T1_GE3
导通电阻:30mΩ@5.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
功率:27W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:305mA
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
功率:250mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0610K-T1-E3
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.7nC@15V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:185mA
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2308CES-T1_BE3
栅极电荷:5.3nC@10V
导通电阻:150mΩ@2.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:2.3A
输入电容:205pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35.5mΩ@2A,10V,15.5mΩ@5A,10V
连续漏极电流:15A€40A
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
功率:27W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
栅极电荷:8.4nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.6A,5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:2W€3.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:5.6A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:25mΩ@8.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A€40A
输入电容:550pF@25V€1260pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
功率:27W€48W
包装清单:商品主体 * 1
库存: