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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：25A
输入电容：1100pF@15V
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
功率：22W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343DS-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：53mΩ@4A，10V
栅极电荷：21nC@10V
类型：P沟道
输入电容：540pF@15V
功率：750mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
功率：46W
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2个P沟道（双）
连续漏极电流：60A
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：6200pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4134DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：846pF@15V
功率：2.5W€5W
连续漏极电流：14A
导通电阻：14mΩ
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA471DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：27.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
功率：3.5W€19.2W
连续漏极电流：12.9A€30.3A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：1170pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1308EDL-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
类型：N沟道
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：105pF@15V
导通电阻：132mΩ@1.4A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：1.5A€1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
导通电阻：190mΩ
功率：1W€2.3W
类型：P-Channel
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-BE3
输入电容：235pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3.3A€3.6A
功率：1.1W€1.7W
栅极电荷：6.7nC@10V
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1350pF@15V
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：11.4A
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
类型：P沟道
功率：2.5W€5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6mΩ@19A，10V
功率：3.8W€52W
类型：N沟道
栅极电荷：42nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：35A
输入电容：1700pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：445pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：65mΩ@3A，10V
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
功率：7.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
阈值电压：1.4V@250µA
功率：1.56W€2.8W
连续漏极电流：3.9A€3.9A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：1450pF@15V
功率：3.57W€26.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4101DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
功率：6W
输入电容：8190pF@15V
连续漏极电流：25.7A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
栅极电荷：203nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
功率：2W€4.2W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA14DN-T1-GE3
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@10A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：1450pF@15V
功率：3.57W€26.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
功率：1W€1.25W
连续漏极电流：5.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
栅极电荷：10nC@5V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA04DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：77nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：2.15mΩ@15A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
功率：3.7W€52W
输入电容：3595pF@15V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1350pF@15V
栅极电荷：50nC@10V
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
功率：2W€4.2W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA88DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：16.2A€40.5A
栅极电荷：25.5nC@10V
功率：3.2W€19.8W
ECCN：EAR99
输入电容：985pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR403EDP-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：153nC@10V
功率：5W€56.8W
类型：P沟道
输入电容：4620pF@15V
ECCN：EAR99
导通电阻：6.5mΩ@13A，10V
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：4930pF@15V
连续漏极电流：29.4A€108A
功率：5W€65.7W
栅极电荷：115nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4800BDY-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：13nC@5V
类型：N沟道
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250µA
导通电阻：18.5mΩ@9A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7101DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：102nC@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：35A
功率：3.7W€52W
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
输入电容：3595pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ340ADT-T1-GE3
功率：3.7W€16.7W€4.2W€31W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V€1290pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：15.7A€33.4A€25.4A€69.7A
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA90DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：0.8mΩ@20A，10V
功率：104W
类型：N沟道
栅极电荷：153nC@10V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
输入电容：10180pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.3V@250µA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
导通电阻：65mΩ@3A，10V
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：600pF@15V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472BDN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：15.3A€38.3A
功率：3.2W€19.8W
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
栅极电荷：21.5nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS427EDN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
输入电容：1930pF@15V
功率：3.7W€52W
导通电阻：10.6mΩ@11A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-GE3
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：280mW
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
