包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：783pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：147W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1.205nF@100V

连续漏极电流：13A

类型：1个N沟道

导通电阻：309mΩ@7A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA14N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：147W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：管件

输入电容：1.205nF@100V

连续漏极电流：13A

类型：1个N沟道

导通电阻：309mΩ@7A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG065N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.7nF@100V

连续漏极电流：40A

类型：1个N沟道

导通电阻：65mΩ@16A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：783pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG100N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：783pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：783pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB068N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：51nC

包装方式：管件

连续漏极电流：41A

类型：MOSFET

导通电阻：68mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：783pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：783pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：783pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB068N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：51nC

包装方式：管件

连续漏极电流：41A

类型：MOSFET

导通电阻：68mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP22N60AE-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：156mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP22N60AE-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：156mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHJ240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHJ240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：89W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：783pF@100V

连续漏极电流：12A

类型：1个N沟道

导通电阻：240mΩ@5.5A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1