品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1045pF@25V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@75V
连续漏极电流:7A€25.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@75V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:34.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1045pF@25V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@75V
连续漏极电流:7A€25.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD80460E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:65.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR576DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@75V
连续漏极电流:11.1A€42.4A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA446DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@75V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:177mΩ@3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1286pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VS-FC420SA15
工作温度:-55℃~175℃
功率:909W
阈值电压:5.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13700pF@25V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@200A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€64W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@50V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR622DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1516pF@75V
连续漏极电流:51.6A
类型:N沟道
导通电阻:17.7mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3440ADV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4080EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1590pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: