品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.3W€33W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流:11.7A€32.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.1mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.3W€33W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流:11.7A€32.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.1mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS176LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@35V
连续漏极电流:12.9A€42.3A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@10A,4.5V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIS176LDN-T1-GE3
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功率:3.6W€39W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
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输入电容:1660pF@35V
连续漏极电流:12.9A€42.3A
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导通电阻:10.9mΩ@10A,4.5V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3
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功率:4.3W€33W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@35V€765pF@35V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.1mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3
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功率:4.3W€33W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.1mΩ@10A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.6W€39W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
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类型:N沟道
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规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.3W€33W
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ECCN:EAR99
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输入电容:795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流:11.7A€32.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.1mΩ@10A,10V
漏源电压:70V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:4.3W€33W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:795pF@35V€765pF@35V
连续漏极电流:11.7A€32.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.1mΩ@10A,10V
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规格型号(MPN):SIS176LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:1660pF@35V
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阈值电压:1.6V@250µA
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栅极电荷:19nC@4.5V
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输入电容:1660pF@35V
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导通电阻:10.9mΩ@10A,4.5V
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栅极电荷:19nC@4.5V
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规格型号(MPN):SIS176LDN-T1-GE3
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ECCN:EAR99
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS176LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@10A,4.5V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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工作温度:-55℃~150℃
功率:4.3W€33W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ254DT-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A€32.5A
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包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11.7A€32.5A
工作温度:-55℃~150℃
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.1mΩ@10A,10V
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功率:4.3W€33W
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分类:Mosfet场效应管
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIS176LDN-T1-GE3
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ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS176LDN-T1-GE3
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功率:3.6W€39W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@35V
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