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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
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功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
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漏源电压：240V
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规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
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功率：300mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：300mW
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
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连续漏极电流：200mA
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漏源电压：240V
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漏源电压：20V
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导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
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连续漏极电流：200mA
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导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
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行业应用：工业,汽车
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功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
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栅极电荷：8nC@10V
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
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功率：300mW
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栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
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功率：300mW
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栅极电荷：0.75nC@4.5V
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
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功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
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功率：360mW
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栅极电荷：8nC@10V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
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功率：360mW
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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功率：360mW
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
导通电阻：4Ω@300mA，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
功率：360mW
类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
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功率：300mW
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