品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
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输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
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输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
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输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830PBF-BE3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830SPBF
漏源电压:500V
功率:3.1W€74W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
类型:N沟道
功率:1.25W€1.66W
栅极电荷:9.6nC@10V
输入电容:350pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRF830PBF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:74W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存: