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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@15.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@15.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5442DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€33W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93.8nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@15.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1533pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7232DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：23W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5442DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7272DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：22W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
