品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1006pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB457EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB433EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:58mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: