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    品牌
    ECCN
    连续漏极电流
    行业应用
    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 9.3A(Ta),28.7A(Tc)
    当前匹配商品:4
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2331

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1266pF @ 50V

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2331

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1266pF @ 50V

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2331

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1266pF @ 50V

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2331

    规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)

    导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V

    输入电容:1266pF @ 50V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    类型:2 N-通道(双)

    阈值电压:4V @ 250µA

    功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    栅极电荷:26.5nC @ 10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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