品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
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功率:1.3W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
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功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
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类型:N沟道
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功率:1.3W
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漏源电压:30V
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类型:N沟道
功率:1.3W
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规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
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漏源电压:30V
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ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:13nC@5V
类型:N沟道
功率:1.3W
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-GE3
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功率:1.3W
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规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-GE3
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
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功率:1.3W
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连续漏极电流:6.5A
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规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
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导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
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