品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:295mΩ@4A,10V
输入电容:1190pF@50V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
输入电容:1580pF@15V
导通电阻:11mΩ@12A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:8.9A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-GE3
输入电容:1580pF@15V
导通电阻:11mΩ@12A,10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:8.9A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
漏源电压:150V
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:295mΩ@4A,10V
输入电容:1190pF@50V
类型:P沟道
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
漏源电压:150V
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:295mΩ@4A,10V
输入电容:1190pF@50V
类型:P沟道
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
漏源电压:150V
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
漏源电压:150V
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@75V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:315mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4894BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@15V
连续漏极电流:8.9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: