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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 16A
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:80mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:80mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4470EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4470EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4470EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA96DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA96DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34.7W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7716ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7716ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:846pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:80mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:13W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16A

    类型:P-Channel

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1865pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:9mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:16A

    类型:N-Channel

    导通电阻:9mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7812DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7812DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@35V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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