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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：27W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
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功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
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输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.5W
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输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
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功率：27W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
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功率：27W
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输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
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功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
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功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
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功率：1.5W
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栅极电荷：27nC@4.5V
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输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：1.5W
工作温度：-50℃~150℃
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：11.3A
输入电容：2610pF@15V
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
输入电容：220pF@25V
导通电阻：95mΩ@4A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：11.3A
功率：27W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
输入电容：220pF@25V
导通电阻：95mΩ@4A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：11.3A
功率：27W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
输入电容：220pF@25V
导通电阻：95mΩ@4A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：2N沟道（双）
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：11.3A
功率：27W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH112DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：1.5W
工作温度：-50℃~150℃
栅极电荷：27nC@4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：11.3A
输入电容：2610pF@15V
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：7.5mΩ@17.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB70EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：95mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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