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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
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功率：780mW€1.8W
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输入电容：620pF@10V
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规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
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功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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功率：3.6W
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输入电容：196pF@50V
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功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
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输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
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功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：10.4nC@10V
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输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
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连续漏极电流：3.8A
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功率：3.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
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输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
输入电容：196pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：10.4nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：3.8A
功率：3.6W
导通电阻：126mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
功率：780mW€1.8W
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连续漏极电流：3.8A
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输入电容：620pF@10V
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功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
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