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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3474DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8410DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€1.8W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
