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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：979pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
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功率：83W
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栅极电荷：27nC@10V
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输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_BE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：979pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：979pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：979pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_BE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
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功率：83W
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输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：979pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
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输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
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功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：979pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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