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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5948DU-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5948DU-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5948DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:82mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS932EDN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7308DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€3.3W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N40D-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N40D-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:311pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7904BDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7904BDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7904BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:17.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@7.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2399DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:835pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5922DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5922DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:10.4W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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