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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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类型：MOSFET
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规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
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功率：375W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：81nC@10V
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输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
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连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
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类型：MOSFET
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功率：48W
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连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
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漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
包装方式：Reel
漏源电压：40V
阈值电压：1.1V
功率：48W
栅极电荷：100nC
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.63mΩ
连续漏极电流：131A
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
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规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
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功率：48W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
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功率：48W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
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连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
包装方式：Reel
漏源电压：40V
阈值电压：1.1V
功率：48W
栅极电荷：100nC
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.63mΩ
连续漏极电流：131A
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
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