采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM35N30-97_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5650pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@10A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@16.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM35N30-97_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5650pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@10A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM35N30-97_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5650pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@10A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD35N10-26P-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€83W
阈值电压：4.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM35N30-97_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5650pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：97mΩ@10A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
