品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
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连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
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导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:34A
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1100pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISB46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@20V
连续漏极电流:34A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.71mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: