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    连续漏极电流
    47A
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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 47A
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3769pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQW44N65EF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQW44N65EF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):480psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:266nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5.858nF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:73mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3769pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

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    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

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    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

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    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3769pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

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    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

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    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4854pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60EF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG47N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:379W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4854pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQW44N65EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQW44N65EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):480psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:266nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5.858nF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:73mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    功率:357W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    连续漏极电流:47A

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:9620pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3769pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    功率:357W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    连续漏极电流:47A

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:9620pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    功率:278W

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQW44N65EF-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQW44N65EF-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):480psc

    规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3

    输入电容:5.858nF@100V

    类型:1个N沟道

    漏源电压:650V

    阈值电压:4V@250μA

    连续漏极电流:47A

    导通电阻:73mΩ@22A,10V

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:266nC@10V

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQW44N65EF-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQW44N65EF-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):480psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:266nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5.858nF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:73mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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