品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3495EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3495EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3421DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2580pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:19.2mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5459DU-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€10.9W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: