品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:3.1A€4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:3.1A€4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4485DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:3.1A€4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:4.2A€5.9A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:705pF@15V
连续漏极电流:6.8A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: