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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    类型: P沟道
    漏源电压: 150V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:2.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:2.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:719pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€16.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:719pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€16.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:2.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS481ENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:385pF@75V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.095Ω@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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