品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.17A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.17A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:840mA
类型:P沟道
导通电阻:1.77Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:719pF@75V
连续漏极电流:4.4A€16.2A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:719pF@75V
连续漏极电流:4.4A€16.2A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.17A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS481ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:385pF@75V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:1.095Ω@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€5.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: