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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
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输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
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连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
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连续漏极电流：3.8A
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栅极电荷：25nC@10V
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
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包装方式：卷带（TR）
工作温度：-50℃~150℃
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
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