品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1485pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:835pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5403DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1340pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3433CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€3.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4485DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5403DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1340pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5403DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1340pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1275pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: