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    品牌: VISHAY
    ECCN: EAR99
    类型: P沟道
    连续漏极电流: 18A
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
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    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34SPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34SPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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