品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4427pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:22.4A€60A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:22.4A€60A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5590pF@10V
类型:P沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4427pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:22.4A€60A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4427pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:16.9A€35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3490pF@15V
连续漏极电流:22.4A€60A
类型:P沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:16.9A€35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH625DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4427pF@15V
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: