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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：23A
类型：P沟道
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连续漏极电流：23A
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输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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功率：57W
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类型：P沟道
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
功率：57W
输入电容：4660pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
功率：57W
输入电容：4660pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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连续漏极电流：50A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
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