品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:8.9A
类型:P沟道
导通电阻:295mΩ@4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@10V
连续漏极电流:29.7A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.2W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@16.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.2W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@16.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2337DS-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:760mW€2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@40V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:270mΩ@1.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7613DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:8.7mΩ@17A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@10V
连续漏极电流:29.7A
类型:P沟道
导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1317DL-T1-BE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:400mW€500mW
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:272pF@10V
连续漏极电流:1.4A€1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7119DN-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:666pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.05Ω@1A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: