包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.65nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.2A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR9014PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：25W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：12nC

包装方式：Bulk

连续漏极电流：5.1A

类型：MOSFET

导通电阻：500mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIA4265EDJ-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.9W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：7.8A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG100N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.65nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.2A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1